概要
キオクシアと米サンディスクは8月27日、2032年までに日本国内で総額約5兆円(310億ドル超)を投資する計画を発表した。三重県の四日市工場と岩手県の北上工場を中心に、生産設備の構築、関連インフラ整備、技術強化に資金を投じる。両社は過去25年以上にわたりフラッシュメモリ事業の合弁を通じて国内に約9兆円の設備投資を実行してきており、今回はそれに続く大規模投資となる。ただし投資の実現には日本政府の継続的な支援が前提条件とされている点が共通して強調されている。
北上工場に新棟K3、2029年度稼働へ
投資計画の柱の一つが、北上工場における新製造棟「K3棟」の建設だ。K3棟は既存の第2製造棟(K2棟)の南側に建設され、2029年度中の稼働開始を目指す。目的は3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の生産能力増強で、建設時期や投資規模の詳細は今後の市場動向を踏まえて決定される予定という。四日市工場についても生産設備や関連インフラへの投資が予定されており、両拠点で並行して増産体制を整える構えだ。
AI需要拡大が投資の背景に
両社が投資の理由として挙げるのは、AIの社会実装が推論AIからエージェント型AI、さらにはフィジカルAIへと広がることで、フラッシュメモリ需要が中長期的に拡大するとの見通しだ。大容量・高性能・省電力なメモリへの需要増に対応し、中長期的なビット成長の実現と安定供給の両立を狙うとしている。日本政府にとっても、先端半導体の製造能力拡大を通じて戦略的重要分野を支援する政策目標に沿う投資と位置づけられている。
経営陣のコメントと今後の展望
キオクシアの太田裕雄社長は、計画の実現には日本政府による継続的かつ戦略的な支援が重要との認識を示した。一方、サンディスクのデビッド・ゲックラーCEOは、今回の取り組みを日米経済協力の「象徴的な成功事例」になると位置づけている。両社は2026年1月にも四日市工場に関する合弁契約を2034年12月まで延長しており、長期的な協業体制を前提に今回の大型投資が打ち出された形だ。政府支援の具体的な枠組みなど、今後の詳細発表が焦点となる。