概要
サムスン電子は2026年5月29日、業界初となる12層HBM4E（High Bandwidth Memory 4E）メモリのサンプル出荷を開始したと発表した。HBM4の量産開始からわずか3か月というスピードで次世代製品のサンプルを顧客へ届けたことになる。NvidiaやAMD、Googleといった主要AIチップメーカーへの提供がすでに始まっており、AI向けメモリ市場でのリーダーシップを強化する狙いがある。
技術仕様
HBM4Eは安定動作時に14Gbpsのピン速度を実現し、高負荷なAIワークロードでは16Gbpsまでスケールアップできる設計となっている。これによりスタックあたりの帯域幅は最大3.6TB/sに達し、前世代のHBM4に対して20%以上の性能向上を達成した。消費電力効率も16%改善し、熱抵抗は14%以上低減している。
現時点で出荷されているのは48GB（12層）構成で、今後は32GB（8層）および64GB（16層）のバリアントも展開する計画だ。HBM4EはHBM4と共通の1c世代DRAMプロセスおよび4nmベースダイアーキテクチャを採用しており、製造効率を高めながら性能を引き上げている。
競合動向と今後の展開
HBM市場ではSK Hynixも当初の2026年下半期の計画を前倒しし、HBM4Eのサンプル出荷を加速させる動きを見せている。MicronはTSMCと連携して2027年の量産本格化を目指しているとされ、サムスンの先行出荷は競合他社に対して数か月単位のリードをもたらす可能性がある。サムスンは顧客ごとのスケジュールに合わせて量産移行を進める方針を示しており、AI向けアクセラレータの需要拡大を背景にHBM4E市場の早期立ち上げを図る。